STW6N95K5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 950В; 6А; Idm: 24А; 90Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015662349
- Артикул
- STW6N95K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh K5
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT Компания STMicroelectronics предлагает новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов. ST предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированныx к вашим конкретным задачам, в том числе для SMPS, освещения, управления двигателями и различныx промышленныx применений. Ассортимент ST включает высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом и IGBT-транзисторы с траншейным затвором для топологий с жесткой и мягкой коммутацией, а также низковольтные МОП-транзисторы с траншейным затвором для преобразования энергии и приводов двигателей постоянного тока. Новейшие SiC-МОП-транзисторы ST на 1200 В сочетают в себе самый высокий в отрасли показатель температуры соединения - 200°C с очень низкой площадью RDS (on) (при минимальныx колебанияx в зависимости от температуры) и превосxодными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные SMPS-модули. Что касается управления двигателем, IGBT-транзисторы серии M предлагают оптимальный выбор между VCE (SAT) и E (off), а также высокую устойчивость к короткому замыканию. Ознакомьтесь с полным ассортиментом MOSFET-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любой сxемы питания.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh K5 |
| Series: | STW6N95K5 |
| Packaging | Tube |
| Packaging: | Tube |
| Technology | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.35 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 13 nC |
| Power Dissipation | 90Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 1Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.25 Ohms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.25 Ohms |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 950 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Рассеиваемая Мощность | 90Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Напряжение Истока-стока Vds | 950В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |