STW69N65M5, MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005537534
- Артикул
- STW69N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- Mdmesh M5
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 1 950 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы STM MDmeshV со сквозным отверстием
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | Mdmesh M5 |
| Mounting | THT |
| Packaging: | Tube |
| Technology | MDmesh™ V |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 36.5A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Power dissipation | 330W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 143 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 37mΩ |
| Drain-source voltage | 650V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 330 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 58 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Пороговое напряжение на затворе | -25 V, +25 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 58 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.037 Ом |