Моя заявка (0)

STW68N65DM6-4AG, MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STW68N65DM6-4AG, MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830968
Артикул
STW68N65DM6-4AG
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
6.08
Channel Type
N Channel
Упаковка
Tube
Power Dissipation
480Вт
Цена по запросу
(от 3 500 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г6.08
Channel TypeN Channel
УпаковкаTube
Power Dissipation480Вт
СтруктураN-Channel
Особенностиавтомобильные приложения
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Drain Source On State Resistance0.033Ом
Линейка ПродукцииMDmesh DM6
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока72А
Рассеиваемая Мощность480Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Размер фабричной упаковки600
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.033Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт480
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)33 мОм

Техническая документация