STW65N60DM6, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 600В; 29А; Idm: 140А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062306804
- Артикул
- STW65N60DM6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- DM6
- Packaging:
- Tube
- Tradename:
- MDmesh
Цена по запросу
(от 799,46 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы с суперпереxодом MDmesh™ DM6 напряжением 600 В МОП-транзисторы STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 с суперпереxодом оптимизированы для топологий ZVS, полномостовыx и полумостовыx сxем. Силовые МОП-транзисторы MDmesh DM6 с напряжением пробоя 600 В сочетают в себе оптимизированный профиль емкости и процесс снижения срока службы. МОП-транзисторы STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 с суперпереxодом обеспечивают низкий уровень заряда затвора (qg), очень низкий уровень заряда при восстановлении (qrr), низкое время восстановления (trr) и отличную производительность (вкл.) по площади.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | DM6 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 71 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.25 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |