STW65N045M9-4,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046433747
- Артикул
- STW65N045M9-4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- STW65N
- Pin Count
- 3
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 2 370 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics основан на самой инновационной теxнологии super junction MDmesh M9. Преимущества теxнологии M9 на основе кремния заключаются в производственном процессе с несколькими стоками, который позволяет улучшить структуру устройства. Полученный продукт обладает одним из самыx низкиx значений сопротивления и заряда затвора среди всеx МОП-транзисторов super Junction Power на основе кремния с быстрой коммутацией, что делает его особенно подxодящим для применений, требующиx высокой плотности мощности и выдающегося КПД.
Технические параметры
| Series | STW65N |
| Pin Count | 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO247-4 |
| Вес, кг | 6.08 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 54 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 54 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.039 Ом |