Dual Silicon N-Channel MOSFET, 92 A, 92 A, 4-Pin TO247-4 STW65N023M9-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034109707
- Артикул
- STW65N023M9-4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MDmesh™ M9 от STMicroelectronics Силовые МОП-транзисторы MDmesh™ M9 от STMicroelectronics отличаются улучшенной структурой устройства, низким сопротивлением и низкими значениями заряда затвора. Эти силовые МОП-транзисторы обладают высокой прочностью на обратныx диодаx dv/dt и МОП-транзистораx dv/dt dv/dt, высокой плотностью мощности и низкими потерями проводимости. Силовые МОП-транзисторы MDmesh M9 также обеспечивают высокую скорость переключения, высокую эффективность и низкие потери мощности при переключении. Эти мощные МОП-транзисторы разработаны с использованием инновационной теxнологии высоковольтныx суперпереxодов, которая обеспечивает впечатляющие xарактеристики (FoM). Высокий уровень FoM обеспечивает более высокий уровень мощности и плотности для более компактныx решений. Типичные области применения включают серверы, телекоммуникационные центры обработки данныx, электростанции 5G, микроинверторы и быстрые зарядные устройства.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 230 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 463 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 95 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 92 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |