Моя заявка (0)
STW62N65M5, MOSFETs N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830962
Артикул
STW62N65M5
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
38
Серия
STW62N65M5
Channel Type
N Channel
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 1 650 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5

Технические параметры

Вес, г38
СерияSTW62N65M5
Channel TypeN Channel
УпаковкаTube
Power Dissipation330Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада14 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-247-3
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора142 nC
Время нарастания11 ns
Drain Source On State Resistance0.041Ом
Линейка ПродукцииMDmesh M5
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока46А
Рассеиваемая Мощность330Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs4В
Pd - рассеивание мощности330 W
Id - непрерывный ток утечки46 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Размер фабричной упаковки600
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Vgs - напряжение затвор-исток25 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток41 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток710 V
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения8 ns
Типичное время задержки при включении101 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.041Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А46
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.041 Ом

Техническая документация