STW5NK100Z, Транзистор N-МОП, полевой, 1кВ, 2,2А, 125Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041296679
- Артикул
- STW5NK100Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247
- Width
- 5.15mm
- Series
- MDmesh, SuperMESH
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 712 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 1кВ, 2,2А, 125Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Width | 5.15mm |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | SuperMESH3™ |
| Вес, г | 2.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | to247 |
| Drain current | 2.2A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 125W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-МОП |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 3.7Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.7 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@4mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 125 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |