STW58N65DM2AG, MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004830960
- Артикул
- STW58N65DM2AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Тип
- High Voltage
- Вес, г
- 38
- Длина
- 20.15 mm
- Серия
- STW58N65DM2AG
Цена по запросу
(от 2 240 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Тип | High Voltage |
| Вес, г | 38 |
| Длина | 20.15 mm |
| Серия | STW58N65DM2AG |
| Высота | 5.15 mm |
| Ширина | 15.75 mm |
| Продукт | Power MOSFETs |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 7.7 ns |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 88 nC |
| Время нарастания | 31 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 360 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 48 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 157 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 360 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.058 Ом |