STW58N60DM2AG, MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004830959
- Артикул
- STW58N60DM2AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Type
- High Voltage
- Brand
- STMicroelectronics
- Type:
- High Voltage
Цена по запросу
(от 1 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | High Voltage |
| Brand | STMicroelectronics |
| Type: | High Voltage |
| Width | 15.75 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Height | 5.15 mm |
| Length | 20.15 mm |
| Product | Power MOSFET |
| Series: | STW58N60DM2AG |
| Product: | Power MOSFETs |
| Fall Time | 12 ns |
| Rise Time | 60 ns |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 60 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 18 nC |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Pd - Power Dissipation | 360 W |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 360 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 24 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 130 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 360 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.052 Ом |