STW56N65M2, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070583871
- Артикул
- STW56N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 3
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 358Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.049Ом
Цена по запросу
(от 1 470 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MDmesh™ МОП-транзисторы второго поколения Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics серии MDmesh™ M2 с суперпереxодами напряжением 600 и 650 В оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RD(on), зарядом затвора (Qg) и собственными емкостями (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| Вес, г | 3 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 358Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.049Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 49А |
| Рассеиваемая Мощность | 358Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.049Ом |