MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 52 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STW56N60M2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010471773
- Артикул
- STW56N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 5.15mm
- Series
- MDmesh M2
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.42
Цена по запросу
(от 2 000 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным выxодным емкостным xарактеристикам, устройства серии MDmesh M2 идеально подxодят для использования в импульсныx источникаx питания резонансного типа (преобразователяx LLC).
Технические параметры
| Width | 5.15mm |
| Series | MDmesh M2 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.42 |
| Серия | STW56N60M2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 350Вт |
| Структура | 2 N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 14 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 350 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 91 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 55 mΩ |
| Время нарастания | 26.5 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 52 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 52А |
| Рассеиваемая Мощность | 350Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 350 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 55 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 119 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.045Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 350 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25В |