DM6 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW50N65DM6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014536007
- Артикул
- STW50N65DM6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- DM6
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 2 390 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтный N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics относится к серии диодов быстрого восстановления MDmesh DM6.
Технические параметры
| Series | DM6 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.091 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.074Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Линейка Продукции | MDmesh DM6 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 33А |
| Рассеиваемая Мощность | 250Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.074Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |