STW50N65DM2AG TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075233098
- Артикул
- STW50N65DM2AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- High Voltage
- Brand:
- STMicroelectronics
- Product:
- Power MOSFETs
- Fall Time:
- 10.5 ns
Цена по запросу
(от 490 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type: | High Voltage |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Product: | Power MOSFETs |
| Fall Time: | 10.5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 89 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 87 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |