STW48N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 26А, 300Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887686
- Артикул
- STW48N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STW48N60M2
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 442,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MDmesh™ МОП-транзисторы второго поколения Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics серии MDmesh™ M2 с суперпереxодами напряжением 600 и 650 В оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RD(on), зарядом затвора (Qg) и собственными емкостями (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STW48N60M2 |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 119 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 17 ns |
| Technology | MDmesh™ M2 |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 38 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 26A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Power dissipation | 300W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-МОП |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 60mΩ |
| Drain-source voltage | 600V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |