STW48N60M2-4, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M2, полевой, 600В, 26А, 300Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062061038
- Артикул
- STW48N60M2-4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247-4
- Series
- MDmeshв(ў M2
- Version
- ESD
- FET Type
- N-Channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW48N60M2-4 от производителя STMicroelectronics представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент. Данный элемент обладает монтажом типа THT, что облегчает его интеграцию в печатные платы. Ток стока достигает 26 А, что позволяет использовать транзистор в мощных схемах. Напряжение сток-исток составляет 600 В, делая его подходящим для работы в высоковольтных применениях. Мощность 300 Вт указывает на высокую производительность устройства. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,06 Ом, что гарантирует высокую эффективность при минимальных потерях. Корпус TO247-4 обеспечивает надежность и долговечность компонента. Воспользуйтесь STW48N60M2-4 для улучшения параметров ваших электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 26 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 300 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.06 Корпус TO247-4
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Series | MDmeshв(ў M2 |
| Version | ESD |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 6.15 |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 26A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Base Part Number | STW48N |
| Power dissipation | 300W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Gate-source voltage | ±25V |
| On-state resistance | 60mΩ |
| Drain-source voltage | 600V |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 21A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3060pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 42A(Tc) |