Моя заявка (0)
STW46NF30, MOSFETs N-Ch 300 V 0.063 Ohm 42 A STripFET(TM)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830948
Артикул
STW46NF30
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Fall Time:
46 ns
Цена по запросу
(от 409,66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 300 В 42А (Tc) 300 Вт (Tc) Со сквозным отверстием TO-247-3

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
Fall Time:46 ns
Packaging:Tube
Rise Time:38 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г7
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Package / CaseTO-247-3
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:90 nC
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature175°C(TJ)
Factory Pack Quantity:600
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 17A, 10V
Особенности-
Pd - Power Dissipation:300 W
Power Dissipation (Max)300W(Tc)
Supplier Device PackageTO-247-3
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90 nC @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time:80 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Id - Continuous Drain Current:42 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:63 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 25 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42A(Tc)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.063 Ом

Техническая документация