STW45N60DM6, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM6, полевой, 600В, 19А, Idm: 95А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062306805
- Артикул
- STW45N60DM6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 4.5
- Серия
- STW45N60DM6
- Channel Type
- N Channel
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 837,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Вес, г | 4.5 |
| Серия | STW45N60DM6 |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 210Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 7.3 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Время нарастания | 5.3 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.085Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh DM6 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Рассеиваемая Мощность | 210Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 210 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 99 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.25 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.085Ом |