STW43N60DM2, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062103495
- Артикул
- STW43N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STW43N60DM2
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±25V
Цена по запросу
(от 796,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MDmesh™ DM2 от STMicroelectronics Силовые МОП-транзисторы MDmesh™ DM2 от STMicroelectronics - это МОП-транзисторы на основе кремния с быстровосстанавливающимся внутренним диодом, оптимизированные для топологий моста с фазовым сдвигом ZVS. МОП-транзисторы STMicroelectronics MDmesh DM2 отличаются очень низким зарядом и временем восстановления (qrr, tr rr) и на 20% меньшим значением RDSW(on) по сравнению с предыдущим поколением. Высокая прочность dV/dt (40 В/нс) обеспечивает повышенную надежность системы.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STW43N60DM2 |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 27 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 93mOhm @ 17A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Power Dissipation (Max) | 250W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 93 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 100 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |