Моя заявка (0)

STW40N95K5, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ K5, полевой, 950В, 24А, 450Вт, TO247

STW40N95K5, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ K5, полевой, 950В, 24А, 450Вт, TO247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062061020
Артикул
STW40N95K5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STW40N95K5
Fall Time:
10 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 777,28 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 Серия STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RD(on) и отличающимися повышенной плотностью мощности и КПД. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STW40N95K5
Fall Time:10 ns
Packaging:Tube
Rise Time:51 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г7.7
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:93 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:450 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:33.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:91.5 ns
Id - Continuous Drain Current:38 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:110 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:950 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:600

Техническая документация