Моя заявка (0)
STW40N95DK5, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048738196
Артикул
STW40N95DK5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
11 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 1 600 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы MDmesh DK5 STMicroelectronics МОП-транзисторы MDmesh DK5 - это высоковольтные диоды с быстрым восстановлением напряжения с напряжением пробоя от 950 В до 1050 В. DK5 имеет очень низкий заряд затвора, всего 45 НС, и время обратного восстановления (trr) составляет 250 нс (типично). Это делает MDmesh DK5 идеальным решением для резонансныx преобразователей ZVS LLC, применяемыx в системаx с высокой мощностью. К таким устройствам относятся промышленные сварочные аппараты, генераторы плазмы, высокочастотные индукционные установки для плавления/нагрева и рентгеновские аппараты.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:11 ns
Packaging:Tube
Rise Time:15 ns
Вес, г3
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:100 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:600
Pd - Power Dissipation:450 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:82 ns
Id - Continuous Drain Current:38 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:120 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:950 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V

Техническая документация