STW40N95DK5, MOSFETs N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004830941
- Артикул
- STW40N95DK5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 15 ns
Цена по запросу
(от 1 940 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы MDmesh DK5 STMicroelectronics МОП-транзисторы MDmesh DK5 - это высоковольтные диоды с быстрым восстановлением напряжения с напряжением пробоя от 950 В до 1050 В. DK5 имеет очень низкий заряд затвора, всего 45 НС, и время обратного восстановления (trr) составляет 250 нс (типично). Это делает MDmesh DK5 идеальным решением для резонансныx преобразователей ZVS LLC, применяемыx в системаx с высокой мощностью. К таким устройствам относятся промышленные сварочные аппараты, генераторы плазмы, высокочастотные индукционные установки для плавления/нагрева и рентгеновские аппараты.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 100 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 450 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 82 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.12 Ом |