STW40N90K5, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062588200
- Артикул
- STW40N90K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247
- Brand:
- STMicroelectronics
- Mounting
- THT
- Fall Time:
- 13.4 ns
Цена по запросу
(от 1 674,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 13.4 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 15.5 ns |
| Technology | MDmesh™ K5 |
| Вес, г | 4.54 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 25A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 446W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 89 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 99mΩ |
| Drain-source voltage | 900V |
| Pulsed drain current | 160A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 446 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 84.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 88 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |