STW40N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 22А, 250Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887685
- Артикул
- STW40N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STW40N60M2
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 667 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STW40N60M2 |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 13.5 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 4.43 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 57nC@480V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.5nF |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 96 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 34A |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.078Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 88 mOhms |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.4pF |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 34А |
| Рассеиваемая Мощность | 250Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.078Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.078Ω@10V, 17A |