STW3N170, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038010210
- Артикул
- STW3N170
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STW3N170
- Fall Time:
- 53 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 366,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные IEEE 1500V + Дискретные полупроводниковые транзисторы
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STW3N170 |
| Fall Time: | 53 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | PowerMESH |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3PF-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 63 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.7 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |