STW36NM60ND, Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™ II, полевой, 600В, 18А, 190Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887429
- Артикул
- STW36NM60ND
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- null
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STW36NM60ND
- Fall Time:
- 61.8 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW36NM60ND от известного производителя STMicroelectronics представляет собой высокомощный N-MOSFET компонент, идеально подходящий для использования в силовой электронике. Устройство выполнено в надежном корпусе TO247, предназначенном для монтажа с использованием технологии THT (сквозное монтажное отверстие), что обеспечивает простоту интеграции в различные электронные схемы. Транзистор характеризуется током стока 18 А и напряжением сток-исток 600 В, что позволяет управлять значительными энергетическими нагрузками. Мощность устройства составляет 190 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,097 Ом, минимизирует потери мощности. Использование модели STW36NM60ND гарантирует высокую эффективность и надежность ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 18 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 190 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.097 Корпус TO247
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STW36NM60ND |
| Fall Time: | 61.8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 53.4 ns |
| Вес, г | 4.52 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 80.4 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 190W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 80.4nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.785nF@50V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 111 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 29A |
| Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 110mΩ@14.5A, 10V |