STW34NM60ND, Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™ II, полевой, 600В, 18А, 190Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062379575
- Артикул
- STW34NM60ND
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 5.15mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- FDmesh
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 1 107,05 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Width | 5.15mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | FDmesh |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 4.52 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 80.4 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 80.4 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 29 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |