STW34N65M5, MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017145388
- Артикул
- STW34N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 5.15mm
- Series
- MDmesh M5
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW34N65M5 от STMicroelectronics – это высокомощный компонент в корпусе TO247, предназначенный для монтажа THT. Этот N-MOSFET транзистор характеризуется током стока 17,7 А и напряжением сток-исток до 650 В, обеспечивая мощность до 190 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,09 Ом, что делает его идеальным выбором для различных электронных применений, где требуется высокая эффективность переключения и низкое падение напряжения. Используйте STW34N65M5 для повышения надежности и производительности ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 17.7 Напряжение сток-исток, В 650 Мощность, Вт 190 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.09 Корпус TO247
Технические параметры
| Width | 5.15mm |
| Series | MDmesh M5 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | STW34N65M5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 62.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 710 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 18.3 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 710 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |