Моя заявка (0)

STW32NM50N, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 22A 190Вт 0,13Ом TO247

STW32NM50N, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 22A 190Вт 0,13Ом TO247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008512471
Артикул
STW32NM50N
Бренд
STMicroelectronics
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±25V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
3
Цена по запросу
(от 590 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В 22A 190Вт 0,13Ом TO247

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±25V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г3
Корпусto247
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураN-МОП
Operating Temperature150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 11A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)190W(Tc)
Supplier Device PackageTO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1973 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт190
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0, 13Ом

Техническая документация