STW30N65M5, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007383676
- Артикул
- STW30N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247
- Width
- 5.15mm
- Series
- MDmesh M5
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 4 620 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для работы с топологиями PFC и PWM высокой мощности. Основные xарактеристики включают низкие потери при включении на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора.
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Width | 5.15mm |
| Series | MDmesh M5 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.79 |
| Gate charge | 64nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 13A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 140W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±25V |
| On-state resistance | 0.125Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 650V |
| Pulsed drain current | 88A |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 139 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 22 A |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |