STW28NM50N, MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004830926
- Артикул
- STW28NM50N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- N-Channel MDmesh II Power MOSFET
- Width
- 5.15mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW28NM50N от STMicroelectronics – это надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для THT (сквозного) монтажа. Обладает током стока 13 А и напряжением сток-исток 500 В, что позволяет использовать его в широком спектре электронных схем. Мощность транзистора достигает 150 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,135 Ом, обеспечивает эффективную работу. Корпус TO247 обеспечивает удобную установку и надежность при эксплуатации. Выбирая STW28NM50N, вы получаете качество от известного производителя STMicroelectronics. Артикул STW28NM50N подтверждает подлинность и соответствие требуемым характеристикам. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 13 Напряжение сток-исток, В 500 Мощность, Вт 150 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.135 Корпус TO247
Технические параметры
| Type: | N-Channel MDmesh II Power MOSFET |
| Width | 5.15mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh |
| Series: | STW28NM50N |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 52 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 19 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 4.49 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.5 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 158 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 158 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.135Ω@10V, 10.5A |