STW26NM60N, Транзистор N-MOSFET 600В 20А 140Вт 0.165Ом, MDmesh II [TO-247.]
![STW26NM60N, Транзистор N-MOSFET 600В 20А 140Вт 0.165Ом, MDmesh II [TO-247.]](https://static.epl-electro.ru/lib/336/DOC001336316.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000187562
- Артикул
- STW26NM60N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 7.5
- Корпус
- TO-247
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- аудиоприложения
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW26NM60N от STMicroelectronics – мощный компонент для современной электроники, предназначенный для монтажа THT. Этот N-MOSFET обладает впечатляющим током стока в 12,6 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 600 В, что делает его идеальным выбором для высоконапряженных применений. С мощностью 140 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,135 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе. Всё это упаковано в прочный корпус TO247, обеспечивающий долговечность и стабильность. Используйте STW26NM60N для уверенной работы ваших электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 12.6 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 140 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.135 Корпус TO247
Технические параметры
| Вес, г | 7.5 |
| Корпус | TO-247 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | аудиоприложения |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.165 Ом/10А, 10В |