STW26NM50, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 A, 0.12 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8603695475
- Артикул
- STW26NM50
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Подробности
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STW26NM50
- Fall Time:
- 19 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW26NM50 от STMicroelectronics представляет собой надежный компонент для эффективного управления электронными цепями. Монтируемый через отверстия (THT), этот N-MOSFET обладает высокой мощностью в 313 Вт, что позволяет ему справляться с нагрузками до 18,9 А. Напряжение сток-исток достигает 500 В, в то время как сопротивление в открытом состоянии остается низким, всего 0,1 Ом, что обеспечивает высокую эффективность. Корпус TO247 гарантирует прочность и долговечность использования. Приобретая STW26NM50, вы выбираете качественный компонент для своих электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 18.9 Напряжение сток-исток, В 500 Мощность, Вт 313 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.1 Корпус TO247
Технические параметры
| RoHS | Подробности |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STW26NM50 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rds Вкл | 120 mOhms |
| Rise Time: | 15 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 9.02 |
| Серия | STW26NM50 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Упаковка | Tube |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 76 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 19 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 313 W |
| Конфигурация | Single |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247 |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Время нарастания | 15 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Рассеяние мощности | 313 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Непрерывный ток стока | 30 A |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Напряжение пробоя затвор-исток | +/-30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 313 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.12 Ом |