STW25N80K5, MOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004830919
- Артикул
- STW25N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 27.22
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 796 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные МОП-транзисторы STMicroelectronics SuperMESH - сквозные
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 27.22 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 19.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 260 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом |