Моя заявка (0)

STW25N60M2-EP, MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830918
Артикул
STW25N60M2-EP
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Packaging:
Tube
Вес, г
7
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 474 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Packaging:Tube
Вес, г7
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:29 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:600
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:150 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Id - Continuous Drain Current:18 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:188 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.25 V
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.175 Ом

Техническая документация