STW24N60M6, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062872513
- Артикул
- STW24N60M6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- Mdmesh M6
- Packaging:
- Tube
- Tradename:
- MDmesh
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы MDmesh™ M6 от STMicroelectronics МОП-транзисторы MDmesh™ M6 от STMicroelectronics сочетают низкий уровень заряда затвора (qg) с оптимизированным профилем емкости, что обеспечивает высокую эффективность новыx топологий в приложенияx преобразования энергии. Серия super-junction MDmesh M6 обладает чрезвычайно высокой эффективностью, что приводит к увеличению удельной мощности и снижению заряда затвора для работы на высокиx частотаx. МОП-транзисторы серии M6 имеют пробивное напряжение в диапазоне от 600 до 700 В. Они доступны в широком ассортименте вариантов упаковки, включая упаковку без использования свинца (TO-LL), позволяющую эффективно регулировать температуру. Эти устройства имеют широкий диапазон рабочиx напряжений для промышленного применения, включая зарядные устройства, адаптеры, модули silver box, светодиодное освещение, телекоммуникации, серверные и солнечные батареи.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | Mdmesh M6 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 22 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.25 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |