Моя заявка (0)

STW24N60M2, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-247, Through Hole

STW24N60M2, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8522261254
Артикул
STW24N60M2
Бренд
STMicroelectronics
Series
MDmesh M2
Pin Count
3
Вес, г
6.054
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 654 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой STW24N60M2 от известного производителя STMicroelectronics отличается высокими рабочими характеристиками. Предназначен для монтажа THT, этот N-MOSFET обеспечивает ток стока до 12 А и может выдерживать напряжение сток-исток до 600 В, что гарантирует его надежность в условиях высоких напряжений. Мощность устройства достигает 150 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,168 Ом, свидетельствует о высоком КПД и снижении потерь мощности. Корпус TO247 обеспечивает удобство установки и достаточное охлаждение. Транзистор STW24N60M2 идеален для применения в силовой электронике, блоках питания и инверторах. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 12 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 150 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.168 Корпус TO247

Технические параметры

SeriesMDmesh M2
Pin Count3
Вес, г6.054
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation150Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностивысоковольтный
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation150 W
Typical Gate Charge @ Vgs29 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance190 mΩ
Drain Source On State Resistance0.168Ом
Maximum Continuous Drain Current18 A
Линейка ПродукцииMDmesh II Plus
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока18А
Рассеиваемая Мощность150Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.168Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт150
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.168 Ом

Техническая документация