Моя заявка (0)
STW24N60DM2, MOSFETs N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830917
Артикул
STW24N60DM2
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STW24N60DM2
Fall Time:
15 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 490 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы MDmesh™ DM2 от STMicroelectronics Силовые МОП-транзисторы MDmesh™ DM2 от STMicroelectronics - это МОП-транзисторы на основе кремния с быстровосстанавливающимся внутренним диодом, оптимизированные для топологий моста с фазовым сдвигом ZVS. МОП-транзисторы STMicroelectronics MDmesh DM2 отличаются очень низким зарядом и временем восстановления (qrr, tr rr) и на 20% меньшим значением RDSW(on) по сравнению с предыдущим поколением. Высокая прочность dV/dt (40 В/нс) обеспечивает повышенную надежность системы.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STW24N60DM2
Fall Time:15 ns
Packaging:Tube
Rise Time:8.7 ns
Tradename:FDmesh
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:29 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:150 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:60 ns
Id - Continuous Drain Current:18 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:200 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:600
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.175 Ом

Техническая документация