Моя заявка (0)

STW22N95K5, Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH5™, полевой, 950В, 11А, 250Вт, TO247

STW22N95K5, Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH5™, полевой, 950В, 11А, 250Вт, TO247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062894595
Артикул
STW22N95K5
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
Unknown
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 849,01 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH5™, полевой, 950В, 11А, 250Вт, TO247 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 11 Напряжение сток-исток, В 950 Мощность, Вт 250 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.28 Корпус TO247

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г4.5
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-247
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologySuperMESH 5
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)15
Typical Rise Time (ns)15
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)250000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)48
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)48@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)20
Maximum Drain Source Voltage (V)950
Typical Turn-Off Delay Time (ns)65
Maximum Gate Threshold Voltage (V)5
Typical Gate Threshold Voltage (V)10
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)17.5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1550@100V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)330@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)10000
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)17.5

Техническая документация