STW21N90K5, Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH5™, полевой, 900В, 11,6А, 250Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887224
- Артикул
- STW21N90K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- null
- Series
- SuperMESH5в(ў
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW21N90K5 от STMicroelectronics – надежный компонент для мощных электронных схем. Этот N-MOSFET транзистор с монтажом THT отличается высоким напряжением сток-исток в 900 В и током стока 11,6 А, обеспечивая мощность до 250 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,25 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности устройства. Выполнен в прочном корпусе TO247, который обеспечивает надежную работу и долговечность. Этот транзистор станет оптимальным выбором для разработки мощных источников питания, инверторов и других устройств, где необходима высокая надежность и эффективность. Обратите внимание, с кодом STW21N90K5 вы легко найдете всю необходимую документацию и подробные характеристики данного компонента. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 11.6 Напряжение сток-исток, В 900 Мощность, Вт 250 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.25 Корпус TO247
Технические параметры
| Type | null |
| Series | SuperMESH5в(ў |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 4.51 |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Standard Package | 30 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 9A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 250W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 43nC@10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.645nF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 18.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1645pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18.5A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 299mΩ@9A, 10V |