Моя заявка (0)

STW21N150K5,Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 14 A, 0.7 ohm, TO-247, Through Hole

STW21N150K5,Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 14 A, 0.7 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046382915
Артикул
STW21N150K5
Бренд
STMicroelectronics
Case
TO247
Type:
MDmesh K5
Brand:
STMicroelectronics
Mounting
THT
Цена по запросу
(от 3 510 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высоковольтные IEEE 1500V + Дискретные полупроводниковые транзисторы

Технические параметры

CaseTO247
Type:MDmesh K5
Brand:STMicroelectronics
MountingTHT
Product:Power MOSFETs
Fall Time:26 ns
Packaging:Tube
Rise Time:14 ns
TechnologyMDmesh™ K5
Вес, г4.43
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Drain current8.7A
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Transistor Type:1 N-Channel Power MOSFET
Power dissipation446W
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:89 nC
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±30V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance0.7Ω
Drain-source voltage1.5kV
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:600
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:446 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:34 ns
Typical Turn-Off Delay Time:134 ns
Id - Continuous Drain Current:14 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Features of semiconductor devicesESD protected gate
Rds On - Drain-Source Resistance:900 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.5 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт446
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.7 Ом

Техническая документация