STW20N95K5, Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH5™, полевой, 950В, 11А, 250Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887253
- Артикул
- STW20N95K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STW20N95K5
- Packaging:
- Tube
- Tradename:
- MDmesh
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW20N95K5 от известного производителя STMicroelectronics - идеальный выбор для высоковольтных применений. С монтажом THT и корпусом TO247, этот N-MOSFET транзистор обеспечивает ток стока до 11 А и выдерживает напряжение сток-исток до 950 В, что делает его мощным компонентом для вашей схемы. С мощностью 250 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,275 Ом, STW20N95K5 обеспечивает высокую эффективность и надежность для вашего проекта. Используйте STW20N95K5 для создания эффективных и мощных электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 11 Напряжение сток-исток, В 950 Мощность, Вт 250 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.275 Корпус TO247
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STW20N95K5 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 6.67 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 17.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 330 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |