STW19NM50N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 10А, 110Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056728034
- Артикул
- STW19NM50N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 5.15mm
- Series
- MDmeshв(ў II
- Тип
- MDmesh II Power MOSFET
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 620 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор POWER МОП-транзистор N-CH 500V 13A
Технические параметры
| Width | 5.15mm |
| Series | MDmeshв(ў II |
| Тип | MDmesh II Power MOSFET |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Серия | STW19NM50N |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-247 |
| Корпус | to247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 17 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Тип транзистора | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Время нарастания | 16 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 2 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 61 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25В |