STW18N60M2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ || Plus, полевой, 650В, 8А, 110Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050002716
- Артикул
- STW18N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STW18N60M2
- Fall Time:
- 10.6 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 1 110 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MDmesh™ МОП-транзисторы второго поколения Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 600 и 650 В серии MDmesh™ M2 с суперпереxодом оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RDS1 (вкл.), зарядом затвора (Qg) и собственными емкостями (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STW18N60M2 |
| Fall Time: | 10.6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 4.49 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 21.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 280 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |