STW15N95K5, Power MOSFET, N Channel, 950 V, 12 A, 0.41 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000011232
- Артикул
- STW15N95K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- N Channel
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STW15N95K5
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW15N95K5 от производителя STMicroelectronics обеспечивает высокую надежность и эффективность для электронных схем. Оснащенный корпусом TO247 для THT монтажа, данный N-MOSFET транзистор имеет ток стока 7,6 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 950 В, что делает его идеальным для работы в сильноточных и высоковольтных применениях. Мощность устройства достигает 170 Вт, в то время как сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,41 Ом, гарантируя высокую эффективность при минимальных потерях мощности. Используйте STW15N95K5 для создания надежных и мощных электронных решений. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 7.6 Напряжение сток-исток, В 950 Мощность, Вт 170 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.41 Корпус TO247
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STW15N95K5 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 6.876 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 170Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 170W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Квалификация | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 30nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 855pF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.41Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 410 mOhms |
| Линейка Продукции | SuperMESH 5 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF@100V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Рассеиваемая Мощность | 170Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 950В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@100uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.41Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 410mΩ@10V, 6A |