STW15N80K5, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 8,8А, 190Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008512495
- Артикул
- STW15N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 5.15mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW15N80K5 от компании STMicroelectronics представляет собой высококачественный компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Этот N-MOSFET транзистор способен работать с током стока до 8,8 А и выдерживает напряжение сток-исток до 800 В, что делает его идеальным выбором для мощных применений. С мощностью в 190 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,3 Ом, STW15N80K5 эффективно управляет электрическими нагрузками с высокой эффективностью. Корпус TO247 обеспечивает надежную конструкцию для длительной работы. Выбирая STW15N80K5, вы получаете надежность и высокую производительность от известного производителя полупроводниковых устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 8.8 Напряжение сток-исток, В 800 Мощность, Вт 190 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.3 Корпус TO247
Технические параметры
| Case | TO247 |
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 5.15mm |
| Series | SuperMESH5в(ў |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 6.5 |
| Серия | STW15N80K5 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | to247 |
| Drain current | 8.8A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 190W |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Структура | N-МОП |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.3Ω |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Drain-source voltage | 800V |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 375 mOhm @ 7A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 190W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Id - Continuous Drain Current | 14 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 375 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 300 mOhms |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |