STW12NK90Z,Power MOSFET, N Channel, 900 V, 11 A, 0.72 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8198674451
- Артикул
- STW12NK90Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247
- Type
- N Channel
- Type:
- MOSFET
- Width
- 5.15mm
Цена по запросу
(от 873 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Type | N Channel |
| Type: | MOSFET |
| Width | 5.15mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 55 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 20 ns |
| Technology | MDmesh™ |
| Вес, г | 7.257 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 11A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| RoHS Compliant | Yes |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 230W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 113 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 880mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 900V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Power Dissipation (Pd) | 230W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 230 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 113 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 152nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.5nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 88 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 880 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 880 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 880mΩ@10V, 5.5A |