STW12NK80Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 6,6А, 190Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062288748
- Артикул
- STW12NK80Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh, SuperMESH
- Series:
- STW12NK80Z
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW12NK80Z от STMicroelectronics – это высоковольтный N-MOSFET в надежном корпусе TO247, предназначенный для монтажа THT. С уникальной способностью выдерживать напряжение сток-исток до 800 В и ток стока до 6,6 А, этот транзистор идеален для мощных применений. Мощность устройства достигает 190 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,65 Ом гарантирует высокую эффективность и экономию энергии. Номер модели STW12NK80Z подчеркивает его уникальность и качество производства от STMicroelectronics. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 6.6 Напряжение сток-исток, В 800 Мощность, Вт 190 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.65 Корпус TO247
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Series: | STW12NK80Z |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 18 ns |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 8.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 87 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 10.5 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 750 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 750 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |