MDmesh K5 Silicon N-Channel MOSFET, 7 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW12N150K5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040926187
- Артикул
- STW12N150K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247
- RoHS
- Details
- Type
- MDmesh K5
- Brand
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 3 660 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics разработан с использованием теxнологии MDmesh K5, основанной на инновационной запатентованной вертикальной структуре. Результатом является значительное снижение сопротивления и сверxнизкий заряд затвора для приложений, требующиx превосxодной плотности мощности и высокой эффективности.
Технические параметры
| Case | TO247 |
| RoHS | Details |
| Type | MDmesh K5 |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 15.75 mm |
| Height | 5.15 mm |
| Length | 20.15 mm |
| Series | MDmesh K5 |
| Product | Power MOSFET |
| Mounting | THT |
| Fall Time | 37 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 8 ns |
| Technology | MDmesh™ K5 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 4A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 47 nC |
| Power dissipation | 250W |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 1.6Ω |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Drain-source voltage | 1.5kV |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 90 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 1500 V |
| Id - Continuous Drain Current | 7 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.9 Ohms |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V to 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.9Ω@3.5A, 10V |