Моя заявка (0)

STW12N120K5, MOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

STW12N120K5, MOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005442444
Артикул
STW12N120K5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STW12N120K5
Packaging:
Tube
Tradename:
MDmesh
Цена по запросу
(от 1 228,98 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 Серия STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RD(on) и отличающимися повышенной плотностью мощности и КПД. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STW12N120K5
Packaging:Tube
Tradename:MDmesh
Вес, г6
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Power Dissipation250Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:44.2 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:250 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Id - Continuous Drain Current:12 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.62Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:690 mOhms
Линейка ПродукцииMDmesh K5
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Непрерывный Ток Стока12А
Рассеиваемая Мощность250Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:600
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.62Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт250
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.62 Ом

Техническая документация